类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

材料

终端数量

晶体管元件材料

Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

厂商

操作温度

包装

系列

JESD-609代码

零件状态

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

子类别

技术

端子位置

终端形式

Reach合规守则

额定电流

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

极性/通道类型

产品类别

连续放电电流(ID)

JEDEC-95代码

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

输入电容

DS 击穿电压-最小值

信道型

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

场效应管特性

产品

辐射硬化

无铅

IXTF200N10T
IXTF200N10T
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Si

7@10V

Compliant

Unknown

Unknown

功率MOSFET

Enhancement

1

100

90

152@10V

152

9400@25V

156000

34

31

45

35

-55

175

通孔

21.34(Max)

5.21(Max)

20.29(Max)

5

Tab

ISOPLUS I4-PAC

活跃

5

单双漏双源

N

MCB20P1200LB-TRR
MCB20P1200LB-TRR
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SiC

功率MOSFET

1200

160(Typ)

表面贴装

9

SMPD

符合免除

EAR99

无

无

卷带

活跃

Discrete Semiconductor Modules

SiC

9

Discrete Semiconductor Modules

功率MOSFET模块

BSO440N10NS3GXT
BSO440N10NS3GXT
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Compliant

Unknown

Unknown

Unconfirmed

VMO550-01F
VMO550-01F
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2.1@10V

110

4

Y3-DCB

Compliant

EAR99

Unknown

Unknown

功率MOSFET

HiperFET

Enhancement

1

100

±20

590

2000@10V

2000

50000@25V

2200000

200

500

800

250

-40

150

Screw

30

62

LTB

4

单双源

N

BSP125E6327T
BSP125E6327T
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

-55

150

表面贴装

1.6

3.5

6.5

3

Tab

SOT

SOT-223

Gull-wing

EAR99

8541.29.00.75

有

Unknown

功率MOSFET

SIPMOS

Enhancement

1

600

±20

0.12

45000@10V

4.4@10V

4.4

100@25V

1800

110

14.4

20

7.7

卷带

Unconfirmed

4

单排双泄

N

IXTA26P10T
IXTA26P10T
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

37

20

-55

150

表面贴装

4.83(Max)

9.65(Max)

10.29(Max)

2

Tab

TO-263AA

Compliant

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±15

4.5

26

50

10

90@10V

52@10V

52

3820@25V

150000

11

15

活跃

3

Single

P

SPI11N60CFDXKSA1
SPI11N60CFDXKSA1
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

-55

通孔

TO-262

I2PAK

Tab

3

10

4.4

9.25

通孔

150

Compliant

EAR99

无

无

功率MOSFET

CoolMOS

Enhancement

1

600

±20

11

440@10V

48@10V

48

1200@25V

125000

7

18

43

34

Tube

Obsolete

3

Single

N

BSC032N03SZT
BSC032N03SZT
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1

Enhancement

OptiMOS

功率MOSFET

无

无

8541.29.00.95

EAR99

供应商未确认

3.2@10V

29@5V

3820@15V

2800

5.4

7

32

7.5

-55

150

表面贴装

1

5.9

5.15

8

SON

TDSON EP

No Lead

23

±20

30

Unconfirmed

8

单四漏三源

N

BSS119E6327XT
BSS119E6327XT
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

3

27

3.1

9.3

2.7

-55

150

表面贴装

1(Max)

1.3

2.9

3

SOT

SOT-23

Gull-wing

100 V

Compliant

Compliant

EAR99

8541.21.00.95

无

无

小信号

SIPMOS

Enhancement

1

100

±20

2.3

0.17

6000@10V

1.67@10V

1.67

60@25V

360

卷带

Obsolete

170 mA

3

Single

5 ns

100 V

170 mA

78 pF

N

无铅

SN7002WL6327XT
SN7002WL6327XT
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

3

1@10V

1

0.42

0.11

3.2

34@25V

7.2

500

8.5

2.8

6

2.4

-55

150

表面贴装

0.9(Max)

1.25

2

3

SOT

SOT-323

Gull-wing

1

Compliant

Compliant

EAR99

有

Unknown

小信号

SIPMOS

Enhancement

1

60

±20

1.8

0.23

10

0.1

5000@10V

卷带

Obsolete

150 °C

-55 °C

3

Single

500 mW

230 mA

20 V

N

无

BSP297E6327NT
BSP297E6327NT
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4

1800@10V

1.6

3.5

6.5

3

Tab

SOT

SOT-223

Gull-wing

Non-Compliant

不合规

EAR99

8541.29.00.75

有

Unknown

小信号

Enhancement

1

200

±20

0.66

12.9@10V

12.9

286@25V

1800

19

3.8

49

5.2

-55

150

表面贴装

卷带

Obsolete

4

单排双泄

N

IPP05N03LBGXK
IPP05N03LBGXK
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5.3@10V

9.25

4.4

10

3

Tab

TO-220

TO-220AB

通孔

Compliant

EAR99

8542330001

无

无

功率MOSFET

OptiMOS

Enhancement

1

30

±20

80

19@5V

2412@15V

94000

4.2

6

27

7

-55

175

通孔

Tube

Obsolete

3

Single

N

BSO072N03SNT
BSO072N03SNT
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

150

表面贴装

1.65(Max)

4(Max)

5(Max)

8

SOP

DSO

Gull-wing

不合规

EAR99

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

OptiMOS

Enhancement

1

30

±20

12

6.8@10V

19@5V

2430@15V

1560

4

5.4

27

6.5

-55

卷带

Obsolete

8

单四漏三源

N

BSO303SPT
BSO303SPT
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8

53

10.3

-55

150

表面贴装

1.5

4

5

8

SOP

SO

Gull-wing

-30 V

Non-Compliant

供应商未确认

EAR99

8541.29.00.95

无

无

小信号

OptiMOS

Enhancement

1

30

±20

8.9

21@10V

46@10V

46

1754@25V

2350

40.3

12.5

卷带

Unconfirmed

-8.9 A

8

单四漏三源

P

无铅

BSV236SPL6327XT
BSV236SPL6327XT
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

[email protected]

2

6

SOT

SOT-363

Gull-wing

Compliant

EAR99

有

Unknown

小信号

OptiMOS

Enhancement

1

20

±12

1.5

[email protected]

228@15V

560

12.2

8.5

14.1

5.7

-55

150

表面贴装

0.9(Max)

1.25

卷带

Obsolete

6

单四排液

P

MMFT5P03HDT3
MMFT5P03HDT3
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

YES

4

4

SILICON

100@10V

17@10V

17

475@25V

3130

46|40

24|55

47|30

12|19

-55

150

表面贴装

1.57

3.5

6.5

3

Tab

SOT

SOT-223

Gull-wing

1

Non-Compliant

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

小概要

PLASTIC/EPOXY

150 °C

MMFT5P03HDT3

RECTANGULAR

Motorola Mobility LLC

Transferred

MOTOROLA INC

5.39

5.2 A

不合规

EAR99

有

有

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

30

±20

5.2

卷带

e0

Obsolete

Tin/Lead (Sn/Pb)

150 °C

-55 °C

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE ENERGY RATED

其他晶体管

DUAL

鸥翼

unknown

4

R-PDSO-G4

不合格

单排双泄

增强型MOSFET

3.13 W

DRAIN

SWITCHING

P-CHANNEL

5.2 A

TO-261AA

20 V

3.7 A

0.1 Ω

30 V

P

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

1.56 W

SPB11N60C3T
SPB11N60C3T
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

380@10V

5

44

10

-55

150

表面贴装

4.4

9.25

10

2

Tab

TO-263

D2PAK

Gull-wing

符合免除

EAR99

8541.29.00.95

有

有

无

无

功率MOSFET

CoolMOS

Enhancement

1

600

±20

11

45@10V

45

1200@25V

125000

5

卷带

Unconfirmed

3

Single

N

BSS138NE8004XT
BSS138NE8004XT
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

3

3500@10V

表面贴装

1(Max)

1.3

2.9

3

SOT

SOT-23

Gull-wing

Compliant

Compliant

EAR99

8541.21.00.95

有

Unknown

小信号

SIPMOS

Enhancement

1

60

±20

0.23

1@10V

1

32@25V

360

8.2

3

6.7

2.3

-55

150

卷带

Obsolete

3

Single

N

BSP372E6327T
BSP372E6327T
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

310@5V

Compliant

EAR99

8541.29.00.75

小信号

SIPMOS

Enhancement

1

100

±14

2

1.7@Ta=28C

110

415@25V

80

1800

50

35

110

20

-55

150

Non-Compliant

卷带

Obsolete

单排双泄

N

BSC020N025SGXT
BSC020N025SGXT
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2@10V

5.15

8

SON

TDSON EP

No Lead

Compliant

EAR99

无

无

功率MOSFET

OptiMOS

Enhancement

1

25

±20

29

50@5V

6230@15V

2800

8

10

47

10.3

-55

150

表面贴装

1

5.9

卷带

Obsolete

8

单四漏三源

N

IPD50N06S3L13XT
IPD50N06S3L13XT
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

175

表面贴装

2.3

6.22

6.5

2

Tab

TO-252

DPAK

Compliant

EAR99

有

Unknown

功率MOSFET

OptiMOS

Enhancement

1

55

±16

50

12.6@10V

50@10V

50

3600@25V

65000

103

51

53

15

-55

卷带

Obsolete

3

Single

N

IXTY01N100-TRL
IXTY01N100-TRL
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

2.38(Max)

6.22(Max)

6.73(Max)

2

Tab

TO-252AA

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

1000

±20

0.1

80000@10V

6.9@10V

6.9

54@25V

25000

28

12

40

12

-55

150

活跃

3

Single

N

BSP296E6327T
BSP296E6327T
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4

700@10V

291@25V

53

1790

21.4

7.9

37.4

5.2

-55

150

表面贴装

1.6

3.5

6.5

3

Tab

SOT

SOT-223

Gull-wing

Non-Compliant

EAR99

8541.29.00.75

有

Unknown

小信号

SIPMOS

Enhancement

1

100

±20

1.8

1.1

13.8@10V

13.8

5

0.7

71.9

卷带

Unconfirmed

4

单排双泄

N

BSS131E6327T
BSS131E6327T
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

3

14000@10V

1.3

2.9

3

SOT

SOT-23

Gull-wing

Non-Compliant

EAR99

8541.21.00.95

有

Unknown

小信号

SIPMOS

Enhancement

1

240

±20

0.11

2.1@10V

2.1

58@25V

360

64.5

3.1

13.7

3.3

-55

150

表面贴装

1(Max)

卷带

Unconfirmed

3

Single

N

AONV070V65G1
AONV070V65G1
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-PowerTDFN

8-DFN (8x8)

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

DFN EP

8

Tube

AONV070

16A

6V

125W

活跃

EAR99

Unknown

Unknown

功率MOSFET

Enhancement

1

650

6

16

90@6V

6.9@6V

203@400V

125000

14.2

5.4

6.2

2.4

-55

150

表面贴装

1(Max)

8

8

-55°C ~ 150°C

卷带

-

NRND

MOSFET (Metal Oxide)

8

单四漏三源

N-Channel

90mOhm @ 6A, 6V

2.3V @ 5mA

203 pF @ 400 V

6.9 nC @ 6 V

650 V

6V

N

-